64-1350-59 SI3477DV-T1-GE3 P 채널 MOSFET, 8A, 12V TrenchFET, 6핀 TSOP Vishay SI3477DV-T1-GE3
기능
- P 채널 MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:8A
- 최대 드레인 소스 전압:12V
- 최대 드레인 소스 저항:33m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-10V, +10V
- 패키지 유형:TSOP
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:6
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 4.2W
- 크기:3.1 x 1.7 x 1mm
- 코드 번호:812-3160
| 주문 번호 | 64-1350-59 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI3477DV-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 3,010
USD: 18.87
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(20pieces) | |
| 일본의 주식 |
|
|
| 공급자 재고 |
|
|