64-1350-46 SI2365EDS-T1-GE3 P 채널 MOSFET, 4.7A, 20V, 3핀 SOT-23 Vishay SI2365EDS-T1-GE3
기능
- P 채널 MOSFET, 8V ~ 20V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:4.7A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:67.5옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
- 패키지 유형:SOT-23(TO-236)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 1.7W
- 일반 끄기 지연 시간:65ns
- 코드 번호:165-6934
| 주문 번호 | 64-1350-46 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI2365EDS-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 53,800
USD: 337.24
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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