64-1350-37 ［단종］SI2329DS-T1-GE3 P 채널 MOSFET, 6A, 8V, 3핀 SOT-23 Vishay SI2329DS-T1-GE3
기능
- P 채널 MOSFET, 8V ~ 20V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:6A
- 최대 드레인 소스 전압:8V
- 최대 드레인 소스 저항:120옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.35V
- 최대 게이트 소스 전압:-5V, +5V
- 패키지 유형:SOT-23(TO-236)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 2.5W
- 크기:3.04 x 1.4 x 1.02mm
- 코드 번호:165-6906
| 주문 번호 | 64-1350-37 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI2329DS-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 115,030
USD: 721.06
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |