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［단종］Si1965DH-T1-GE3 이중 P 채널 MOSFET, 1.2A, 12V, 6핀 SOT-363 Vishay　Si1965DH-T1-GE3 64-1350-32 【AXEL GLOBAL】 アズワン

取扱点数300万点

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64-1350-32　［단종］Si1965DH-T1-GE3 이중 P 채널 MOSFET, 1.2A, 12V, 6핀 SOT-363 Vishay　Si1965DH-T1-GE3

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기능

이중 P 채널 MOSFET, Vishay 반도체

仕様

수량:1백(50개)
채널 유형:P
최대 연속 배수 전류:1.2A
최대 드레인 소스 전압:12V
최대 드레인 소스 저항:710옴
최소 게이트 임계값 전압:0.4V
최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
패키지 유형:SOT-363(SC-88)
마운트 유형:서피스 마운트
핀 수:6
채널 모드:향상
범주:전원 MOSFET
최대 전력 소비량: 1.25W
길이:2.2mm
코드 번호:812-3104

주문 번호 64-1350-32

型番 Si1965DH-T1-GE3

標準価格

JPY: 2,460 USD: 15.43

Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan

수량 1bag(50pieces)

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이중 P 채널 MOSFET, Vishay 반도체

仕様

수량:1백(50개)
채널 유형:P
최대 연속 배수 전류:1.2A
최대 드레인 소스 전압:12V
최대 드레인 소스 저항:710옴
최소 게이트 임계값 전압:0.4V
최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
패키지 유형:SOT-363(SC-88)
마운트 유형:서피스 마운트
핀 수:6
채널 모드:향상
범주:전원 MOSFET
최대 전력 소비량: 1.25W
길이:2.2mm
코드 번호:812-3104

アズワン品番	64-1350-32
型番	Si1965DH-T1-GE3
標準価格	JPY: 2,460 USD: 15.43 Excange rate 1USD= 159.42JPY Valid price in Japan
入り数	1bag(50pieces)

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이중 P 채널 MOSFET, Vishay 반도체

仕様

수량:1백(50개)
채널 유형:P
최대 연속 배수 전류:1.2A
최대 드레인 소스 전압:12V
최대 드레인 소스 저항:710옴
최소 게이트 임계값 전압:0.4V
최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
패키지 유형:SOT-363(SC-88)
마운트 유형:서피스 마운트
핀 수:6
채널 모드:향상
범주:전원 MOSFET
최대 전력 소비량: 1.25W
길이:2.2mm
코드 번호:812-3104

アズワン品番	64-1350-32
型番	Si1965DH-T1-GE3
標準価格	JPY: 2,460 USD: 15.43 Excange rate 1USD= 159.42JPY Valid price in Japan
入り数	1bag(50pieces)

在庫数	-

[$1]［단종］Si1965DH-T1-GE3 이중 P 채널 MOSFET, 1.2A, 12V, 6핀 SOT-363 Vishay[/$1]