64-1350-32 ［단종］Si1965DH-T1-GE3 이중 P 채널 MOSFET, 1.2A, 12V, 6핀 SOT-363 Vishay Si1965DH-T1-GE3
기능
- 이중 P 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(50개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:1.2A
- 최대 드레인 소스 전압:12V
- 최대 드레인 소스 저항:710옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
- 패키지 유형:SOT-363(SC-88)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:6
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 1.25W
- 길이:2.2mm
- 코드 번호:812-3104
| 주문 번호 | 64-1350-32 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | Si1965DH-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,460
USD: 15.42
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(50pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |