64-1350-30 ［단종］SI1926DL-T1-GE3 이중 N 채널 MOSFET, 370mA, 60V, 6핀 SOT-363 Vishay SI1926DL-T1-GE3
기능
- 이중 N 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:370mA
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 드레인 소스 저항:3옴
- 최소 게이트 임계값 전압:1V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SOT-363(SC-88)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:6
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:510mW
- 일반 게이트 충전 @ Vgs:0.9 nC @ 10V
- 코드 번호:812-3101
| 주문 번호 | 64-1350-30 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI1926DL-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 810
USD: 5.08
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(20pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |