64-1350-25 SI1922EDH-T1-GE3 듀얼 N 채널 MOSFET, 1.3A, 20V, 6핀 SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
기능
- 이중 N 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:1.3A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:263m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
- 패키지 유형:SOT-363(SC-88)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:분리
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 1.25W
- 칩당 요소 수:2
- 코드 번호:165-6930
| 주문 번호 | 64-1350-25 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI1922EDH-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 102,000
USD: 639.38
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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