64-1326-14 [단종]IRL640A N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3 พิน to-220 บน Semiconductor IRL640A
기능
- โหมดปรับปรุง N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Field Effect Transisters (FET) ของโหมดการปรับปรุงผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ซึ่งเป็นเทคโนโลยีเฉพาะของแฟร์ไชลด์, ความหนาแน่นเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ให้ประสิทธิภาพที่ทนทานและเชื่อถือได้ และการสลับอย่างรวดเร็ว
사양
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:18 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:200 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:180 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220
- ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ:46 ns
- หมายเลขรหัส:145-5670
| 주문 번호 | 64-1326-14 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRL640A | |
| 표준 가격 |
JPY: 16,000
USD: 100.36
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1set(50pieces) | |
|
|
||
| 일본의 주식 | - | |
![[단종]IRL640A N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3 พิน to-220 บน Semiconductor IRL640A](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1326/14/64132614.jpg?v=897ccfaa5270bed4dad0662a8ca3207d7ee0ddc44)