ON Semiconductor

64-1317-82　［단종］FDG6317NZ Dual N-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V PowerTrench, 6-Pin SOT-363 (SC-70) บน Semiconductor　FDG6317NZ

인쇄

English

기능

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แบบแฟร์ไชลด์ ON Semis PowerTrench® MOSFETS คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน โดยรวมการชาร์จของเกตขนาดเล็ก การกู้คืนขนาดเล็กและไดโอดของการกู้คืนแบบย้อนกลับอย่างนุ่มนวล ทําให้สามารถสลับการแก้ไขแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC ได้อย่างรวดเร็ว ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวอย่างอ่อนของ PowerTrench® MOSFETs สามารถกําจัดวงจรย่อยหรือแทนที่ MOSFET ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น

사양

ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
ชนิดช่อง:N
รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:700 mA
ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:560 Ω
แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.6V
แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-12 V, +12 V
ประเภทแพ็คเกจ:SOT-363 (SC-70)
ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
จํานวนพิน: 6
โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
ประเภท:พลังงาน
การกระจายพลังงานสูงสุด:300 mW
จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:2
รหัส:806-3400

주문 번호	64-1317-82
모델 번호	FDG6317NZ
표준 가격	JPY: 1,650 USD: 10.35 Excange rate 1USD= 159.42JPY Valid price in Japan
수량	1set(50pieces)

일본의 주식	-

64-1317-82　［단종］FDG6317NZ Dual N-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V PowerTrench, 6-Pin SOT-363 (SC-70) บน Semiconductor　FDG6317NZ

기능

사양

64-1317-82　［단종］FDG6317NZ Dual N-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V PowerTrench, 6-Pin SOT-363 (SC-70) บน Semiconductor　FDG6317NZ

特徴

仕様