64-1311-29 ［단종］NVD5890NLT4G N-Channel MOSFET, 123 A, 40 V, DPAK 3 พินบนเซมิคอนดักเตอร์ NVD5890NLT4G
기능
- N-Channel Power MOSFET, 40V, บนตัวนํา
사양
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:123 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าที่ลดลง:40 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:5.5 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:107 W
- ความกว้าง:6.22 มม.
- รหัส:805-4428
| 주문 번호 | 64-1311-29 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | NVD5890NLT4G | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,480
USD: 9.28
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(10pieces) | |
|
||
| 일본의 주식 | - | |