64-1256-99 ［단종］반도체 2SK3666-3-TB-E N-채널 JFET, 30 V, Idss 1.2 → 3mA, 3 핀 CP 2SK3666-3-TB-E
기능
- N 채널 JFET, ON 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- Idss 드레인-소스 차단 전류:1.2 → 3mA
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 드레인 게이트 전압:-30V
- 트랜지스터 구성:단일
- 최대 드레인 소스 저항:200옴
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 패키지 유형:CP
- 핀 수:3
- 드레인 게이트 온-커패시턴스:4pF
- 소스 게이트 온-커패시턴스:1.1pF
- 크기:2.9 x 1.5 x 1.1mm
- 길이:2.9mm
- 코드 번호:145-4162
| 주문 번호 | 64-1256-99 | |
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| 모델 번호 | 2SK3666-3-TB-E | |
| 표준 가격 |
JPY: 29,200
USD: 181.68
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |