64-0518-61 ［단종］BSO615NGHUMA1 듀얼 N 채널 MOSFET, 2.6A, 60V SIPMOS, 8핀 SOIC Infineon BSO615NGHUMA1
기능
- Infineon SIPMOS® 듀얼 N 채널 MOSFET
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:2.6A
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 드레인 소스 저항:150옴
- 최대 게이트 임계값 전압:2V
- 최소 게이트 임계값 전압:1.2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:분리
- 채널 모드:향상
- 범주:작은 신호
- 최대 전력 소비량: 2W
- 칩당 요소 수:2
- 코드 번호:753-2797
| 주문 번호 | 64-0518-61 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | BSO615NGHUMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 570
USD: 3.55
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(5pieces) | |
|
||
| 일본의 주식 | - | |