64-0455-90 ［단종］IRLR6225PBF N-채널 MOSFET, 100A, 20V HEXFET, 3핀 DPAK Infineon IRLR6225PBF
기능
- N 채널 전원 MOSFET 12V ~ 25V, Infineon Infineon의 이산 HEXFET® 전력 MOSFET의 범위는 거의 모든 보드 레이아웃 및 열 설계 도전을 해결할 수 있는 표면 마운트 및 리드 패키지 및 폼 팩터의 N 채널 장치를 포함합니다. 저항력에 대한 범위 벤치마크에서 전도 손실을 줄여 설계자가 최적의 시스템 효율성을 제공할 수 있습니다.
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:100A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:5.2m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:1.1V
- 최소 게이트 임계값 전압:0.5V
- 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
- 패키지 유형:DPAK(TO-252)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:63W
- 일반 끄기 지연 시간:63ns
- 코드 번호:737-7293
| 주문 번호 | 64-0455-90 | |
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| 모델 번호 | IRLR6225PBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 740
USD: 4.64
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(5pieces) | |
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