64-0340-99 ［단종］SI4900DY-T1-GE3 이중 N 채널 MOSFET, 4.3A, 60V, 8핀 SOIC Vishay SI4900DY-T1-GE3
기능
- 이중 N 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(2500개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:4.3A
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 드레인 소스 저항:58m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:1V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 2W
- 일반 끄기 지연 시간:15ns, 20ns
- 코드 번호:165-3003
| 주문 번호 | 64-0340-99 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4900DY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 305,000
USD: 1,897.71
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(2500pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |