64-0340-88 SI2325DS-T1-E3 P 채널 MOSFET, 530mA, 150V, 3핀 SOT-23 Vishay SI2325DS-T1-E3
기능
- P 채널 MOSFET, 100V ~ 400V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:530mA
- 최대 드레인 소스 전압:150V
- 최대 드레인 소스 저항:1.2옴
- 최소 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SOT-23(TO-236)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:750mW
- Vgs:7.7 nC @ 10V
- 코드 번호:710-3263
| 주문 번호 | 64-0340-88 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI2325DS-T1-E3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,470
USD: 9.22
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(5pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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