64-0189-99 [단종]FQP22N30 N 채널 MOSFET, 21A, 300V QFET, 3핀 TO-220AB 온 반도체 FQP22N30
기능
- QFET® N-채널 MOSFET, 11A ~ 30A, 페어차일드 반도체. Fairchild Semiconductor의 새로운 QFET® 평면 MOSFET는 고급 독점 기술을 사용하여 전원 공급 장치, PFC(Power Factor Correction), DC-DC 변환기, PDP(Plasma Display Panels), 조명 안정기 및 동작 제어를 비롯한 광범위한 응용 프로그램에 동급 최고의 작동 성능을 제공합니다. 온 저항(RDS(on))을 낮춰 온 상태 손실을 줄이고, 게이트 전하(Qg)와 출력 정전용량(Coss)을 낮춰 스위칭 손실을 줄여준다. Fairchild는 고급 QFET® 프로세스 기술을 사용하여 경쟁하는 평면 MOSFET 장치에 비해 향상된 FOM(Figure of Merit)을 제공할 수 있습니다.
사양
- 수량:1백(50개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:21A
- 최대 드레인 소스 전압:300V
- 최대 드레인 소스 저항:160옴
- 최소 게이트 임계값 전압:3V
- 최대 게이트 소스 전압:-30V, +30V
- 패키지 유형:TO-220AB
- 장착 유형:관통 구멍
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:170W
- 크기:1.01 x 4.7 x 9.4mm
- 코드 번호:145-4523
| 주문 번호 | 64-0189-99 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | FQP22N30 | |
| 표준 가격 |
JPY: 14,490
USD: 90.83
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(50pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
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