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64-0189-91 [단종]반도체 상의 FQP10N20C N 채널 MOSFET, 9.5A, 200V QFET, 3핀 TO-220AB FQP10N20C

기능

  • QFET® N-채널 MOSFET, 6A ~ 10.9A, 페어차일드 반도체. Fairchild Semiconductor의 새로운 QFET® 평면 MOSFET는 고급 독점 기술을 사용하여 전원 공급 장치, PFC(Power Factor Correction), DC-DC 변환기, PDP(Plasma Display Panels), 조명 안정기 및 동작 제어를 비롯한 광범위한 응용 프로그램에 동급 최고의 작동 성능을 제공합니다. 온 저항(RDS(on))을 낮춰 온 상태 손실을 줄이고, 게이트 전하(Qg)와 출력 정전용량(Coss)을 낮춰 스위칭 손실을 줄여준다. Fairchild는 고급 QFET® 프로세스 기술을 사용하여 경쟁하는 평면 MOSFET 장치에 비해 향상된 FOM(Figure of Merit)을 제공할 수 있습니다.

사양

  • 수량:1백(5개)
  • 채널 유형:N
  • 최대 연속 배수 전류:9.5A
  • 최대 드레인 소스 전압:200V
  • 최대 드레인 소스 저항:360옴
  • 최소 게이트 임계값 전압:2V
  • 최대 게이트 소스 전압:-30V, +30V
  • 패키지 유형:TO-220AB
  • 장착 유형:관통 구멍
  • 트랜지스터 구성:단일
  • 채널 모드:향상
  • 범주:전원 MOSFET
  • 최대 전력 소비량:72W
  • 일반적인 입력 용량 @ Vds:395 pF @ 25V
  • 코드 번호:671-4998
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주문 번호 64-0189-91
모델 번호 FQP10N20C
표준 가격 JPY: 700 USD: 4.36
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(5pieces)
  단종
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