Infineon

64-0105-67 [단종]Infineon IRGPS60B120KDP IGBT, 105 A 1200V, 3핀 TO-274AA IRGPS60B120KDP

기능

  • 21A 이상 IGBT, Infineon의 공동 팩 Infineon의 Isolated Gate Bipolar Transistors(IGBT)는 어플리케이션에 대한 적용 범위를 보장하는 포괄적인 옵션을 iser에 제공합니다. 높은 효율성은 이러한 범위의 IGBT를 다양한 응용에서 사용할 수 있도록 해주며 낮은 스위칭 손실로 다양한 스위칭 주파수를 지원할 수 있다. 브리지 구성에 사용할 수 있는 초고속 소프트 복구 역병렬 다이오드와 공동 패키지화된 IGBT

사양

  • 수량:1조각/가방
  • 최대 연속 컬렉터 전류:105A
  • 최대 컬렉터 이미터 전압:1200V
  • 최대 게이트 이미터 전압:±20V
  • 최대 전력 소비량:595W
  • 패키지 유형:TO-274AA
  • 장착 유형:관통 구멍
  • 채널 유형:N
  • 핀 수:3
  • 트랜지스터 구성:단일
  • 길이:16.1mm
  • 가로:5.5mm
  • 두께:2.08cm
  • 크기:16.1 x 5.5 x 20.8mm
  • 최소 작동 온도: -55°C
  • 코드 번호:784-0313
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주문 번호 64-0105-67
모델 번호 IRGPS60B120KDP
표준 가격 JPY: 2,550 USD: 15.87
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1piece/bag
  단종
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