Infineon

64-0105-16 [단종]IRFI1010NPBF N-채널 MOSFET, 49A, 55V HEXFET, 3핀 TO-220FP Infineon IRFI1010NPBF

기능

  • N 채널 전원 MOSFET 55V, Infineon. Infineon의 이산 HEXFET® 전력 MOSFET의 범위는 거의 모든 보드 레이아웃 및 열 설계 도전을 해결할 수 있는 표면 마운트 및 리드 패키지 및 폼 팩터의 N 채널 장치를 포함합니다. 저항력에 대한 범위 벤치마크에서 전도 손실을 줄여 설계자가 최적의 시스템 효율성을 제공할 수 있습니다.

사양

  • 수량:1조각/가방
  • 채널 유형:N
  • 최대 연속 배수 전류:49A
  • 최대 드레인 소스 전압:55V
  • 최대 드레인 소스 저항:12m옴
  • 최대 게이트 임계값 전압:4V
  • 최소 게이트 임계값 전압:2V
  • 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
  • 패키지 유형:TO-220FP
  • 장착 유형:관통 구멍
  • 트랜지스터 구성:단일
  • 채널 모드:향상
  • 범주:전원 MOSFET
  • 최대 전력 소비량:58W
  • 크기:10.75 x 4.83 x 9.8mm
  • 코드 번호:542-9579
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주문 번호 64-0105-16
모델 번호 IRFI1010NPBF
표준 가격 JPY: 210 USD: 1.32
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
수량 1piece/bag
  단종
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