63-9794-10 BSC12DN20NS3GATMA1 N 채널 MOSFET, 11.3A, 200V BSC12DN20NS3 G, 8핀 TDSON Infineon BSC12DN20NS3GATMA1
사양
- 수량:1세트(5000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:11.3A
- 최대 드레인 소스 전압:200V
- 최대 드레인 소스 저항:125m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:4V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:20V
- 패키지 유형:TDSON
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:50W
- 일반 끄기 지연 시간:10ns
- 코드 번호:170-2290
| 주문 번호 | 63-9794-10 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | BSC12DN20NS3GATMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 660,000
USD: 4,137.15
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(5000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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