63-8415-52 SIR668DP-T1-RE3 N-채널 MOSFET, 65A, 100V TrenchFET, 8핀 SO Vishay SIR668DP-T1-RE3
기능
- N 채널 MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(2개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:65A
- 최대 드레인 소스 전압:100V
- 최대 드레인 소스 저항:5.05m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3.4V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SO
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:104W
- 최대 작동 온도:+150°C
- 코드 번호:134-9725
| 주문 번호 | 63-8415-52 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIR668DP-T1-RE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 610
USD: 3.82
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(2pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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