63-8415-43 SUP50020E-GE3 N 채널 MOSFET, 120A, 60V, 3 + Tab-Pin TO-220AB Vishay SUP50020E-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, Gen III까지의 TrenchFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(2개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:120A
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 드레인 소스 저항:2.8m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:1.2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:TO-220AB
- 장착 유형:관통 구멍
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:375W
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:134-9705
| 주문 번호 | 63-8415-43 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SUP50020E-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,680
USD: 10.53
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(2pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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