63-8415-40 SIRA90DP-T1-RE3 N 채널 MOSFET, 100A, 30V TrenchFET, 8핀 SO Vishay SIRA90DP-T1-RE3
기능
- N 채널 MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:100A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 드레인 소스 저항:1.15m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:2V
- 최소 게이트 임계값 전압:0.8V
- 최대 게이트 소스 전압:+20V
- 패키지 유형:SO
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:104W
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:134-9698
| 주문 번호 | 63-8415-40 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIRA90DP-T1-RE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,950
USD: 12.22
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(5pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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