63-8412-72 SIR692DP-T1-RE3 N 채널 MOSFET, 24.2A, 250V, 8핀 SO Vishay SIR692DP-T1-RE3
기능
- N 채널 MOSFET, Gen III까지의 TrenchFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:24.2A
- 최대 드레인 소스 전압:250V
- 최대 드레인 소스 저항:67m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:4V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SO
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:104W
- 일반 끄기 지연 시간:14ns
- 코드 번호:134-9163
| 주문 번호 | 63-8412-72 | |
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| 모델 번호 | SIR692DP-T1-RE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 669,000
USD: 4,193.57
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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