63-8412-68 SIR632DP-T1-RE3 N 채널 MOSFET, 29A, 150V, 8핀 SO Vishay SIR632DP-T1-RE3
기능
- N 채널 MOSFET, Gen III까지의 TrenchFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:29A
- 최대 드레인 소스 전압:150V
- 최대 드레인 소스 저항:41m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:4V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SO
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:69.5W
- 일반적인 켜기 지연 시간:9ns
- 코드 번호:134-9159
| 주문 번호 | 63-8412-68 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIR632DP-T1-RE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 459,000
USD: 2,877.20
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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