63-8412-67 ［단종］SIR626DP-T1-RE3 N-채널 MOSFET, 100A, 60V TrenchFET, 8핀 SO Vishay SIR626DP-T1-RE3
기능
- N 채널 MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:100A
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 드레인 소스 저항:2.6m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3.4V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SO
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:104W
- 일반 게이트 충전 @ Vgs:68 nC @ 10V
- 코드 번호:134-9158
| 주문 번호 | 63-8412-67 | |
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| 모델 번호 | SIR626DP-T1-RE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 418,000
USD: 2,620.20
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |