63-8412-63 ［단종］SQJB42EP-T1_GE3 듀얼 N 채널 MOSFET, 30A, 40V TrenchFET, 8핀 SO Vishay SQJB42EP-T1_GE3
기능
- 듀얼 N 채널 MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:30A
- 최대 드레인 소스 전압:40V
- 최대 드레인 소스 저항:16m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SO
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:48W
- 일반 끄기 지연 시간:21ns
- 코드 번호:134-9154
| 주문 번호 | 63-8412-63 | |
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| 모델 번호 | SQJB42EP-T1_GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 196,000
USD: 1,228.61
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
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