63-8399-19 [단종]IPN60R1K0CEATMA1 N 채널 MOSFET, 6.8A, 650V CoolMOS CE, 3 + 탭 핀 SOT-223 Infineon IPN60R1K0CEATMA1
기능
- Infineon CoolMOS™ CE 전원 MOSFET
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:6.8A
- 최대 드레인 소스 전압:650V
- 최대 드레인 소스 저항:1옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최대 게이트 소스 전압:-30V, +30V
- 패키지 유형:SOT-223
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3 + 탭
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 5W
- 일반 게이트 충전 @ Vgs:13 nC @ 10V
- 코드 번호:168-5928
| 주문 번호 | 63-8399-19 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IPN60R1K0CEATMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 96,500
USD: 600.42
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]IPN60R1K0CEATMA1 N 채널 MOSFET, 6.8A, 650V CoolMOS CE, 3 + 탭 핀 SOT-223 Infineon IPN60R1K0CEATMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8399/19/63839919.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)