IXYS

63-8395-61 IXFN360N15T2 N 채널 MOSFET, 310A, 150V GigaMOS TrenchT2 HiperFET, 4핀 SOT-227 IXYS IXFN360N15T2

기능

  • N 채널 전원 MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 시리즈

사양

  • 수량:1세트(10개)
  • 채널 유형:N
  • 최대 연속 배수 전류:310A
  • 최대 드레인 소스 전압:150V
  • 최대 드레인 소스 저항:4 m옴
  • 최대 게이트 임계값 전압:5V
  • 최소 게이트 임계값 전압:2.5V
  • 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
  • 패키지 유형:SOT-227
  • 마운트 유형:서피스 마운트
  • 핀 수:4
  • 채널 모드:향상
  • 범주:전원 MOSFET
  • 최대 전력 소비량: 1.07kW
  • 최소 작동 온도: -55°C
  • 코드 번호:168-4578
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주문 번호 63-8395-61
모델 번호 IXFN360N15T2
표준 가격 JPY: 103,000 USD: 640.87
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1set(10pieces)
일본의 주식
공급자 재고