63-8395-59 IXFN200N10P N 채널 MOSFET, 200A, 100V 극성 HiPerFET, 4핀 SOT-227B IXYS IXFN200N10P
기능
- N 채널 전원 MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ 시리즈. IXYS의 고속 내장 다이오드(HiPerFET™)이 있는 N 채널 전원 MOSFET
사양
- 수량:1세트(10개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:200A
- 최대 드레인 소스 전압:100V
- 최대 드레인 소스 저항:7.5m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:5V
- 최소 게이트 임계값 전압:3V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SOT-227B
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:4
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:680W
- 일반적인 켜기 지연 시간:30ns
- 코드 번호:168-4576
| 주문 번호 | 63-8395-59 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IXFN200N10P | |
| 표준 가격 |
JPY: 55,800
USD: 347.19
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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