63-8353-19 SI4403CDY-T1-GE3 P 채널 MOSFET, 13.4A, 20V, 8핀 SOIC Vishay SI4403CDY-T1-GE3
기능
- P 채널 MOSFET, 8V ~ 20V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(2500개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:13.4A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:20옴
- 최대 게이트 임계값 전압:1V
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 5W
- 트랜지스터 재료:Si
- 코드 번호:169-5792
| 주문 번호 | 63-8353-19 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4403CDY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 236,000
USD: 1,479.35
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(2500pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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