63-8328-53 SI1012CR-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 630mA, 20V, 3핀 SOT-416 Vishay SI1012CR-T1-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 8V ~ 25V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(20개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:630mA
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:1.1옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
- 패키지 유형:SOT-416(SC-75A)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 최대 전력 소비량:240mW
- 크기:1.68 x 0.86 x 0.8mm
- 코드 번호:787-9005
| 주문 번호 | 63-8328-53 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI1012CR-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 850
USD: 5.33
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(20pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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