63-8328-52 SI1032R-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 200mA, 20V, 3핀 SOT-416 Vishay SI1032R-T1-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 8V ~ 25V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:200mA
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:9옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-6V, +6V
- 패키지 유형:SOT-416(SC-75A)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 최대 전력 소비량:280mW
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:165-7260
| 주문 번호 | 63-8328-52 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI1032R-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 102,000
USD: 634.64
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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