63-8327-30 반도체 상의 BSS84LT1G P 채널 MOSFET, 130mA, 50V, 3핀 SOT-23 BSS84LT1G
기능
- P-채널 전원 MOSFET, 30V ~ 500V, ON 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:130mA
- 최대 드레인 소스 전압:50V
- 최대 드레인 소스 저항:10옴
- 최대 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SOT-23
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:225mW
- 칩당 요소 수:1
- 코드 번호:163-2367
| 주문 번호 | 63-8327-30 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | BSS84LT1G | |
| 표준 가격 |
JPY: 29,900
USD: 187.43
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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