IXYS

63-8306-62 IXFN102N30P N 채널 MOSFET, 86A, 300V HiperFET, 폴라, 4핀 SOT-227B IXYS IXFN102N30P

기능

  • N 채널 전원 MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ 시리즈. IXYS의 고속 내장 다이오드(HiPerFET™)이 있는 N 채널 전원 MOSFET

사양

  • 수량:1세트(10개)
  • 채널 유형:N
  • 최대 연속 배수 전류:86A
  • 최대 드레인 소스 전압:300V
  • 최대 드레인 소스 저항:33m옴
  • 최대 게이트 임계값 전압:5V
  • 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
  • 패키지 유형:SOT-227B
  • 마운트 유형:패널 마운트
  • 핀 수:4
  • 채널 모드:향상
  • 범주:전원 MOSFET
  • 최대 전력 소비량:570W
  • 트랜지스터 재료:Si
  • 코드 번호:168-4467
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주문 번호 63-8306-62
모델 번호 IXFN102N30P
표준 가격 JPY: 50,400 USD: 315.93
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
수량 1set(10pieces)
일본의 주식
공급자 재고