63-8272-56 [단종]DMT6018LDR-13 듀얼 N 채널 MOSFET, 11.4(정상) A, 9.1(상태) A, 60 V, 8-핀 V-DFN3030 Diodes Inc DMT6018LDR-13
기능
- MOSFET
사양
- 수량:1세트(10000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:11.4(정상) A, 9.1(상태) A
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 드레인 소스 저항:26m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3V
- 최소 게이트 임계값 전압:1V
- 최대 게이트 소스 전압:±20V
- 패키지 유형:V-DFN3030
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 1.9W
- 일반 끄기 지연 시간:10.8ns
- 코드 번호:182-6931
| 주문 번호 | 63-8272-56 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | DMT6018LDR-13 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,088,000
USD: 6,820.03
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(10000pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]DMT6018LDR-13 듀얼 N 채널 MOSFET, 11.4(정상) A, 9.1(상태) A, 60 V, 8-핀 V-DFN3030 Diodes Inc DMT6018LDR-13](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8272/56/63812764.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)