63-8220-62 ［단종］SiDR622DP-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 64.6A, 150V TrenchFET, 8핀 SO-8 Vishay Siliconix SiDR622DP-T1-GE3
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:64.6A
- 최대 드레인 소스 전압:150V
- 최대 배수 소스 저항:20mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:4.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최대 게이트 소스 전압:±20V
- 패키지 유형:SO-8
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:125W
- 정방향 트랜스컨덕턴스:33S
- 코드 번호:178-3946
| 주문 번호 | 63-8220-62 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SiDR622DP-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,040
USD: 12.79
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(5pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |