63-8220-61 ［단종］SiSS12DN-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 60A, 40V TrenchFET, 8핀 1212 Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:60A
- 최대 드레인 소스 전압:40V
- 최대 배수 소스 저항:2mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:1.1V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-16V, +20V
- 패키지 유형:1212
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:65.7W
- 일반적인 켜기 지연 시간:28ns
- 코드 번호:178-3920
| 주문 번호 | 63-8220-61 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SiSS12DN-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,270
USD: 14.12
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
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