63-8220-60 ［단종］SiR112DP-T1-RE3 N 채널 MOSFET, 133A, 40V TrenchFET, 8핀 SO-8 Vishay Siliconix SiR112DP-T1-RE3
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:133A
- 최대 드레인 소스 전압:40V
- 최대 배수 소스 저항:2mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:1.1V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-16V, +20V
- 패키지 유형:SO-8
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:62.5W
- 너비:5mm
- 코드 번호:178-3881
| 주문 번호 | 63-8220-60 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SiR112DP-T1-RE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,470
USD: 9.22
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |