63-8220-57 SQS966ENW-T1_GE3 듀얼 N 채널 MOSFET, 6A, 60V TrenchFET, 8핀 1212 Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:6A
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 배수 소스 저항:60mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:1.5V
- 최대 게이트 소스 전압:±20V
- 패키지 유형:1212
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:27.8W
- 최대 작동 온도:+175°C
- 코드 번호:178-3727
| 주문 번호 | 63-8220-57 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SQS966ENW-T1_GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 254,000
USD: 1,592.18
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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