63-8009-87 반도체 HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200V, 3핀 D2PAK(TO-263) HGT1S10N120BNST
기능
- 개별 IGBT, 1000V 이상, Fairchild 반도체
사양
- 수량:1백(2개)
- 최대 연속 컬렉터 전류:80A
- 최대 컬렉터 이미터 전압:1200V
- 최대 게이트 이미터 전압:±20V
- 최대 전력 소비량:298W
- 패키지 유형:D2PAK(TO-263)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 채널 유형:N
- 핀 수:3
- 스위칭 속도:1MHz
- 트랜지스터 구성:단일
- 길이:10.67mm
- 가로:11.33mm
- 두께:4.83cm
- 크기:10.67 x 11.33 x 4.83mm
- 최대 작동 온도:+150°C
- 코드 번호:807-6660
| 주문 번호 | 63-8009-87 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | HGT1S10N120BNST | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,120
USD: 13.29
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(2pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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