63-7670-11 2N7000 N 채널 MOSFET, 200mA, 60V, 3핀 TO-92 ON 반도체 2N7000
기능
- 강화 모드 N 채널 MOSFET, 페어차일드 반도체. Fairchild의 독점적이고 높은 셀 밀도의 DMOS 기술을 사용하여 FET(Enhancement Mode Field Effect Transistors)를 생성합니다. 이 고밀도 프로세스는 상태 저항을 최소화하고 견고하고 안정적인 성능과 빠른 스위칭을 제공하도록 설계되었습니다.
사양
- 수량:1세트(10000개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 200밀리리터
- 최대 드레인 소스 전압: 60볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 5옴
- 최소 게이트 임계값 전압: 0.8V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: TO-92
- 마운트 유형: 관통 구멍
- 핀 수: 3
- 채널 모드: 향상
- 범주: 작은 신호
- 최대 전력 소비량: 400밀리와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:169-8553
| 주문 번호 | 63-7670-11 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | 2N7000 | |
| 표준 가격 |
JPY: 275,000
USD: 1,723.81
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(10000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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