ON Semiconductor

63-7626-03 2N7002LT1G N 채널 MOSFET, 115mA, 60V, 3핀 SOT-23(반도체) 2N7002LT1G

기능

  • N 채널 전원 MOSFET, 60V, ON 반도체

사양

  • 수량:1백(50개)
  • 채널 유형: N
  • 최대 연속 드레인 전류: 115밀리리터
  • 최대 드레인 소스 전압: 60볼트
  • 최대 드레인 소스 저항: 7.5옴
  • 최대 게이트 임계값 전압: 2.5V
  • 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
  • 패키지 유형: SOT-23
  • 마운트 유형: 서피스 마운트
  • 트랜지스터 구성 단일
  • 채널 모드: 향상
  • 범주: 작은 신호
  • 최대 전력 소비량: 300밀리와트
  • 길이: 2.9밀리미터
  • 코드 번호:545-0012
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주문 번호 63-7626-03
모델 번호 2N7002LT1G
표준 가격 JPY: 1,310 USD: 8.21
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(50pieces)
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공급자 재고