63-7503-06 BSP149H6327XTSA1 N 채널 MOSFET, 660mA, 200V 고갈 SIPMOS, 3+탭-핀 SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1
기능
- Infineon SIPMOS® N-채널 MOSFET
사양
- 수량:1세트(1000개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 660밀리리터
- 최대 드레인 소스 전압: 200볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 1.8옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 1V
- 최소 게이트 임계값 전압: 2.1V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: SOT-223
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 3 + 탭
- 채널 모드: 고갈
- 범주: 작은 신호
- 최대 전력 소비량: 1.8와트
- 너비: 3.5밀리미터
- 코드 번호:911-4808
| 주문 번호 | 63-7503-06 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | BSP149H6327XTSA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 104,000
USD: 651.92
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(1000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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