63-7032-53 ［단종］RQ3E120ATTB P 채널 MOSFET, 39A, 30V RQ3E120AT, 8핀 HSMT ROHM RQ3E120ATTB
기능
- P-channel MOSFET transistor, ROHM
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: P
- 최대 연속 드레인 전류: 39 A
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 11.3옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압: 1V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: HSMT
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫, 스위칭 모스펫
- 최대 전력 소비량: 20와트
- 칩당 요소 수: 1개
- 코드 번호:133-3293
| 주문 번호 | 63-7032-53 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | RQ3E120ATTB | |
| 표준 가격 |
JPY: 570
USD: 3.55
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |