63-7020-73 ［단종］IRLR3636TRLPBF N-채널 MOSFET, 99A, 60V HEXFET, 3핀 DPAK Infineon IRLR3636TRLPBF
기능
- N-Channel Power MOSFET 60 → 80 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a surface mount package with a lead. In addition, it includes a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 99암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 60볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 8.3옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압: 1V
- 최대 게이트 소스 전압: -16V, +16V
- 패키지 유형: DPAK (TO-252)
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 3
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 143와트
- 일반적인 끄기 지연 시간: 43ns
- 코드 번호:130-1022
| 주문 번호 | 63-7020-73 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRLR3636TRLPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 930
USD: 5.83
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(5pieces) | |
|
||
| 일본의 주식 | - | |