63-7020-67 IRLB8314PBF N-채널 MOSFET, 171A, 30V HEXFET, 3핀 TO-220AB Infineon IRLB8314PBF
기능
- N-Channel Power MOSFET 30 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a surface mount package with a lead. In addition, it includes a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 171암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 3.2옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 2.2V
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.2V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: TO-220AB
- 마운트 유형: 관통 구멍
- 핀 수: 3
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 125와트
- 최소 작동 온도 섭씨 -55도
- 코드 번호:130-1015
| 주문 번호 | 63-7020-67 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRLB8314PBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,380
USD: 8.65
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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