63-7020-65 ［단종］IRL6372TRPBF 이중 N 채널 MOSFET, 8.1A, 30V HEXFET, 8핀 SOIC Infineon IRL6372TRPBF
기능
- Dual N-Channel Power MOSFETs Infineon
- Infineon dual power MOSFETs integrate two HEXFETR devices to provide a space-saving and cost-effective switching solution for high component density designs where substrate space is paramount. Various packaging options allow designers to choose a dual N-channel configuration.
사양
- 수량:1백(25개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 8.1 A
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 23옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 1.1V
- 최소 게이트 임계값 전압: 0.5V
- 최대 게이트 소스 전압: -12V, +12V
- 패키지 유형: 소셜
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 2와트
- 최소 작동 온도 섭씨 -55도
- 코드 번호:130-1013
| 주문 번호 | 63-7020-65 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRL6372TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,190
USD: 13.74
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(25pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |