63-7020-39 ［단종］IRFH6200TRPBF N 채널 MOSFET, 100A, 20V HEXFET, 8핀 PQFN Infineon IRFH6200TRPBF
기능
- N-Channel Power MOSFET 12 → 25 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a reed surface mount package and a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 100암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 20볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 1.5옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 1.1V
- 최소 게이트 임계값 전압: 0.5V
- 최대 게이트 소스 전압: -12V, +12V
- 패키지 유형: PQFN
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 156와트
- 너비: 5밀리미터
- 코드 번호:130-0983
| 주문 번호 | 63-7020-39 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRFH6200TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 890
USD: 5.54
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(5pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |