63-7020-37 ［단종］IRFH5302TRPBF N 채널 MOSFET, 100A, 30V HEXFET, 8핀 PQFN Infineon IRFH5302TRPBF
기능
- N-Channel Power MOSFET 30 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a surface mount package with a lead. In addition, it includes a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 100암페어
- 최대 드레인 소스 전압: 30볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 3.5옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 2.35볼트
- 최소 게이트 임계값 전압: 1.35볼트
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: PQFN
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 100와트
- 일반적인 끄기 지연 시간: 22ns
- 코드 번호:130-0981
| 주문 번호 | 63-7020-37 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRFH5302TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,090
USD: 6.83
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(10pieces) | |
|
||
| 일본의 주식 | - | |