63-7020-33 IRFH5210TRPBF N 채널 MOSFET, 10A, 100V HEXFET, 8핀 PQFN Infineon IRFH5210TRPBF
기능
- N-Channel Power MOSFET 100 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a surface mount package with a lead. In addition, it includes a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
사양
- 수량:1백(5개)
- 채널 유형: N
- 최대 연속 드레인 전류: 10 A
- 최대 드레인 소스 전압: 100볼트
- 최대 드레인 소스 저항: 14.9옴
- 최대 게이트 임계값 전압: 4V
- 최소 게이트 임계값 전압: 2V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, +20V
- 패키지 유형: PQFN
- 마운트 유형: 서피스 마운트
- 핀 수: 8
- 채널 모드: 향상
- 범주: 파워 모스펫
- 최대 전력 소비량: 104와트
- 일반 게이트 충전 @ Vgs : 40nC @ 10V
- 코드 번호:130-0977
| 주문 번호 | 63-7020-33 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRFH5210TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,730
USD: 10.84
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(5pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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